מיקרון משיק את שבב ה- DDR5 הראשון של DDR5 באמצעות טכנולוגיית EUV
Feb 26,2025
מיקרון טכנולוגיה הודיעה כי החלה למשלוח 1 גמא (1-גמא) שבבי DRAM DRAM 16GBIT לכמה שותפים ולקוחות של המערכת האקולוגית.
מיקרון טוען שהיא החברה הראשונה שאימצה צומת 1-גמא (1 γ), המתייחס לדור השישי של טכנולוגיית תהליכי DRAM בגודל גיאומטרי מינימלי בין 19NM ל -10 ננומטר.כאשר יצרני DRAM החלו לייצר DRAM ברמה של 10 ננומטר, הם נטשו מדידות ננומטריות ובמקום זאת אימצו 1x, 1y, 1z, כיום 1 α, 1 β ו- 1 γ.
בזכות היתרון המוביל הקודם של מיקרון בצמתים 1 α ו- 1 β DRAM, אבן דרך חדשה זו בצומת DRAM 1 γ תניע פיתוח חדשני של פלטפורמות מחשוב עתידיות מיישומי ענן, תעשייה וצרכנים למכשירי AI מקצה לקצה כמו AIמחשבים אישיים, סמארטפונים ומכוניות.בינתיים, על ידי פיתוח צומת גמא 1 בבסיסי ייצור שונים ברחבי העולם, מיקרון יכול לספק לתעשייה טכנולוגיה מתקדמת יותר וחוסן אספקה חזק יותר.
מיקרון טוען שהיא החברה הראשונה שאימצה צומת 1-גמא (1 γ), המתייחס לדור השישי של טכנולוגיית תהליכי DRAM בגודל גיאומטרי מינימלי בין 19NM ל -10 ננומטר.כאשר יצרני DRAM החלו לייצר DRAM ברמה של 10 ננומטר, הם נטשו מדידות ננומטריות ובמקום זאת אימצו 1x, 1y, 1z, כיום 1 α, 1 β ו- 1 γ.
בזכות היתרון המוביל הקודם של מיקרון בצמתים 1 α ו- 1 β DRAM, אבן דרך חדשה זו בצומת DRAM 1 γ תניע פיתוח חדשני של פלטפורמות מחשוב עתידיות מיישומי ענן, תעשייה וצרכנים למכשירי AI מקצה לקצה כמו AIמחשבים אישיים, סמארטפונים ומכוניות.בינתיים, על ידי פיתוח צומת גמא 1 בבסיסי ייצור שונים ברחבי העולם, מיקרון יכול לספק לתעשייה טכנולוגיה מתקדמת יותר וחוסן אספקה חזק יותר.
DRAM 1 γ 16GBIT DDRAM של מיקרון נועד לספק יכולת מהירות של עד 9200 מ"ט/שניות, המהירה יותר ב -15% ומעל 20% נמוכה יותר בצריכת החשמל בהשוואה לקודמתה (16GBIT DDR5 מיושם באמצעות טכנולוגיית 1 β).
בהשוואה לדור הקודם, טכנולוגיית ה- EUV של צומת 1 γ הגדילה את תפוקת צפיפות יכולת הוופל ב -30%, מה ששיפר את היתרונות הכלכליים של מיקרון.עם זאת, בניגוד לצומת 1 β, הוא אכן דורש שימוש בטכנולוגיית ליטוגרפיה אולטרה סגולה קיצונית (EUV) כדי לתאר תכונות עדינות יותר על פליקי סיליקון באמצעות אורכי גל קצרים במיוחד.הזיכרון כולל גם טכנולוגיית CMOS של Gate Gate Gate מהדור הבא, המשפרת את ביצועי הטרנזיסטור, משיגה שיעורים גבוהים יותר, עיצובים מותאמים יותר, וגדלי תכונות קטנים יותר, ובכך מביא יתרונות כפולים של הפחתת צריכת חשמל והרחבת ביצועים.
סקוט דה בור, סגן נשיא בכיר וטכנולוגיה ראשית ומנהל מוצרים של מיקרון, אמר, "עם מומחיות בפיתוח טכנולוגיית DRAM קניינית ויישום אסטרטגי של טכנולוגיית ליטוגרפיה של EUV, מיקרון יצרה תיק מוצרי זיכרון מתקדם על בסיס צמתים של גמא, ועוזר להניע להניע אתפיתוח המערכת האקולוגית של AI.מה שמאפשר לנו להרחיב את היקף היצע הזיכרון כדי לעמוד בביקוש ההולך וגובר של הענף
מיקרון מתכנן להציג גמא אחת בכל סדרת DRAM שלה.זה כולל DDR5 למרכזי נתונים, DRAM בעל עוצמה נמוכה עבור Edge AI, DDR5 SODIMM למחשבי AI ו- LPDDR5X למוצרים ניידים ורכב.
מיקרון הצהיר כי הלקוחות AMD ואינטל החלו לאמת את השימוש בדרמת גמא אחת בשרתים ובמעבדי הצרכנים שלהם.
בהשוואה לדור הקודם, טכנולוגיית ה- EUV של צומת 1 γ הגדילה את תפוקת צפיפות יכולת הוופל ב -30%, מה ששיפר את היתרונות הכלכליים של מיקרון.עם זאת, בניגוד לצומת 1 β, הוא אכן דורש שימוש בטכנולוגיית ליטוגרפיה אולטרה סגולה קיצונית (EUV) כדי לתאר תכונות עדינות יותר על פליקי סיליקון באמצעות אורכי גל קצרים במיוחד.הזיכרון כולל גם טכנולוגיית CMOS של Gate Gate Gate מהדור הבא, המשפרת את ביצועי הטרנזיסטור, משיגה שיעורים גבוהים יותר, עיצובים מותאמים יותר, וגדלי תכונות קטנים יותר, ובכך מביא יתרונות כפולים של הפחתת צריכת חשמל והרחבת ביצועים.
סקוט דה בור, סגן נשיא בכיר וטכנולוגיה ראשית ומנהל מוצרים של מיקרון, אמר, "עם מומחיות בפיתוח טכנולוגיית DRAM קניינית ויישום אסטרטגי של טכנולוגיית ליטוגרפיה של EUV, מיקרון יצרה תיק מוצרי זיכרון מתקדם על בסיס צמתים של גמא, ועוזר להניע להניע אתפיתוח המערכת האקולוגית של AI.מה שמאפשר לנו להרחיב את היקף היצע הזיכרון כדי לעמוד בביקוש ההולך וגובר של הענף
מיקרון מתכנן להציג גמא אחת בכל סדרת DRAM שלה.זה כולל DDR5 למרכזי נתונים, DRAM בעל עוצמה נמוכה עבור Edge AI, DDR5 SODIMM למחשבי AI ו- LPDDR5X למוצרים ניידים ורכב.
מיקרון הצהיר כי הלקוחות AMD ואינטל החלו לאמת את השימוש בדרמת גמא אחת בשרתים ובמעבדי הצרכנים שלהם.